Impact of defects on Auger recombination in c -plane InGaN/GaN single quantum well in the efficiency droop regime - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Applied Physics Letters Année : 2020

Impact of defects on Auger recombination in c -plane InGaN/GaN single quantum well in the efficiency droop regime

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hal-03043417 , version 1 (18-12-2020)

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Citer

W. Liu, C. Haller, Y. Chen, T. Weatherley, J.-F. Carlin, et al.. Impact of defects on Auger recombination in c -plane InGaN/GaN single quantum well in the efficiency droop regime. Applied Physics Letters, 2020, 116 (22), pp.222106. ⟨10.1063/5.0004321⟩. ⟨hal-03043417⟩

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