The Effect of Inductively Coupled Plasma Etching on the I – V Curves of the Avalanche Photodiode with GaN/AlN Periodically Stacked Structure - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Physica Status Solidi A (applications and materials science) Année : 2019

The Effect of Inductively Coupled Plasma Etching on the I – V Curves of the Avalanche Photodiode with GaN/AlN Periodically Stacked Structure

Xingzhao Wu
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Lai Wang
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Zhibiao Hao
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Yanjun Han
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Changzheng Sun
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Bing Xiong
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Jian Wang
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  • PersonId : 737345
  • IdHAL : jian-wang
Hongtao Li
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Yi Luo
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Julien Brault
Université Côte d'Azur
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications
Mohamed Al Khalfioui
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Maud Nemoz
  • Fonction : Auteur
Mo Li
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Jianbin Kang
  • Fonction : Auteur
Qian Li

Domaines

Physique [physics] Matière Condensée [cond-mat] Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

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Xingzhao Wu, Lai Wang, Zhibiao Hao, Yanjun Han, Changzheng Sun, et al.. The Effect of Inductively Coupled Plasma Etching on the I – V Curves of the Avalanche Photodiode with GaN/AlN Periodically Stacked Structure. Physica Status Solidi A (applications and materials science), 2019, 216 (24), pp.1900655. ⟨10.1002/pssa.201900655⟩. ⟨hal-03035090⟩

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