Terahertz intersubband absorption of GaN/ AlGaN step quantum wells grown by MOVPE on Si(111) and Si(110) substrates - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Applied Physics Letters Année : 2019

Terahertz intersubband absorption of GaN/ AlGaN step quantum wells grown by MOVPE on Si(111) and Si(110) substrates

A Jollivet
  • Fonction : Auteur
M Tchernycheva
  • Fonction : Auteur
V Trinité
  • Fonction : Auteur
E Frayssinet
Y Cordier
F H Julien
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Dates et versions

hal-03023702 , version 1 (25-11-2020)

Identifiants

Citer

A Jollivet, M Tchernycheva, V Trinité, E Frayssinet, P de Mierry, et al.. Terahertz intersubband absorption of GaN/ AlGaN step quantum wells grown by MOVPE on Si(111) and Si(110) substrates. Applied Physics Letters, 2019, 115 (26), pp.261103. ⟨10.1063/1.5129362⟩. ⟨hal-03023702⟩
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