Article Dans Une Revue
Solid-State Electronics
Année : 2020
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https://hal.science/hal-02991445
Soumis le : vendredi 6 novembre 2020-08:32:27
Dernière modification le : samedi 27 septembre 2025-18:58:15
Citer
T.A. Oproglidis, D.H. Tassis, A. Tsormpatzoglou, G. Ghibaudo, C.A. Dimitriadis. Drain current local variability analysis in nanoscale junctionless FinFETs utilizing a compact model. Solid-State Electronics, 2020, 170, pp.107835. ⟨10.1016/j.sse.2020.107835⟩. ⟨hal-02991445⟩
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