Les caractéristiques courant-tension (I-V) et capacité-tension (C-V) de diodes Schottky Mo/SiC-4H ont été mesurées et analysées en fonction de la température entre 80 K et 400 K. Les caractéristiques I-V s’écartent notablement des caractéristiques idéales prévues par le modèle d’émission thermoïonique, à cause de l’inhomogénéité de ce contact Schottky. D’autres modèles ont donc été proposés dans la littérature. Après une brève revue des différents modèles existants, les paramètres principaux (facteur d’idéalité, hauteur de barrière, constante de Richardson effective)de ces diodes, ont été extraits dans le cadre d’un modèle de distribution gaussienne de la hauteur de barrière, dont la moyenne et l’écart-type dépendent linéairement de la tension et de la température, ainsi que dans le cadre du modèle des fluctuations de potentiel.Les résultats sont comparés aux valeurs extraites par C-V et aux valeurs de la littérature. Un lien est établi entre ces deux modèles. Des diodes de caractéristiques I-V différentes, présentant une simple barrière ou double barrière, ont été analysées par DLTS pour identifier les défauts profonds présents. Aucune différence notable n’a été trouvée