Dans cet article, nous présentons une technique de contrôle actif de grille pour maitriser la vitesse de commutation de transistors de puissance à semi-conducteur grand-gap. Un circuit de commande rapprochée innovant, permet de ralentir la vitesse de commutation à l'amorçage du transistor de puissance, réduisant ainsi les perturbations CEM, sans pour autant impacter trop lourdement les pertes de commutation. La méthode proposée est implémentée dans deux circuits intégrés en technologie CMOS qui permettent d'obtenir des temps de réaction pour une boucle de rétroaction inférieurs à la nanoseconde. Avec de telles performances, il est montré expérimentalement qu'il est possible de contrôler des vitesses de commutation supérieures à 100 V/ns sous des tensions de 400 V.