Structure and infrared photoluminescence of GeSi nanocrystals formed by high temperature annealing of GeO x /SiO 2 multilayers - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Materials Research Express Année : 2016

Structure and infrared photoluminescence of GeSi nanocrystals formed by high temperature annealing of GeO x /SiO 2 multilayers

V Volodin
  • Fonction : Auteur
M Gambaryan
  • Fonction : Auteur
A Cherkov
  • Fonction : Auteur
Mathieu Stoffel
Hervé Rinnert
M. Vergnat
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02960893 , version 1 (08-10-2020)

Identifiants

Citer

V Volodin, M Gambaryan, A Cherkov, Mathieu Stoffel, Hervé Rinnert, et al.. Structure and infrared photoluminescence of GeSi nanocrystals formed by high temperature annealing of GeO x /SiO 2 multilayers. Materials Research Express, 2016, 3 (8), pp.085019. ⟨10.1088/2053-1591/3/8/085019⟩. ⟨hal-02960893⟩
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