Raman shifts and photoluminescence of the InSb nanocrystals ion beam-synthesized in buried SiO2 layers - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Luminescence Année : 2018

Raman shifts and photoluminescence of the InSb nanocrystals ion beam-synthesized in buried SiO2 layers

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02960874 , version 1 (08-10-2020)

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Citer

I.E. Tyschenko, V.A. Volodin, A.G. Cherkov, Mathieu Stoffel, Hervé Rinnert, et al.. Raman shifts and photoluminescence of the InSb nanocrystals ion beam-synthesized in buried SiO2 layers. Journal of Luminescence, 2018, 204, pp.656-662. ⟨10.1016/j.jlumin.2018.08.057⟩. ⟨hal-02960874⟩
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