Article Dans Une Revue ECS Transactions Année : 2008

Trapping in 1nm EOT high-k/MG

Mohamed Zahid
  • Fonction : Auteur
Luigi Pantisano
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Robin Degraeve
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Marc Aoulaiche
  • Fonction : Auteur
Isabelle Ferain
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Enrique San Andres
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Adeline Schickova
  • Fonction : Auteur
Rob O'Connor
  • Fonction : Auteur

Résumé

on PFET's with EOT~ 1 nm shows a large hysteresis at high field in the Id-Vg characteristics, while nothing is sensed for nmos devices. An advanced charge pumping technique proves that this hysteresis in pmos is caused by hole traps in the high-k. Furthermore, we show how NBTI defects are affected correlated with such hole traps. We will demonstrate how optimization of the nitridation process can strongly reduce the hole trap density. Phase separation in the HfSiON can be detected by this simple hole trap measurements.

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02953461 , version 1 (30-09-2020)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02953461 , version 1

Citer

Mohamed Zahid, Luigi Pantisano, Robin Degraeve, Marc Aoulaiche, Lionel Trojman, et al.. Trapping in 1nm EOT high-k/MG. ECS Transactions, 2008, 16 (5), pp.77. ⟨hal-02953461⟩

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