Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Electron Devices Année : 2007
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Dates et versions

hal-02952297 , version 1 (29-09-2020)

Identifiants

Citer

Lionel Trojman, Lars-Ke Ragnarsson, Barry O'Sullivan, Maarten Rosmeulen, Vidya Kaushik, et al.. High-k Metal Gate MOSFETs: Impact of Extrinsic Process Condition on the Gate-Stack Quality—A Mobility Study. IEEE Transactions on Electron Devices, 2007, 54 (3), pp.497-503. ⟨10.1109/TED.2006.890230⟩. ⟨hal-02952297⟩

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