Article Dans Une Revue
IEEE Transactions on Electron Devices
Année : 2007
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https://hal.science/hal-02952297
Soumis le : mardi 29 septembre 2020-12:08:12
Dernière modification le : samedi 24 janvier 2026-15:16:17
Citer
Lionel Trojman, Lars-Ke Ragnarsson, Barry O'Sullivan, Maarten Rosmeulen, Vidya Kaushik, et al.. High-k Metal Gate MOSFETs: Impact of Extrinsic Process Condition on the Gate-Stack Quality—A Mobility Study. IEEE Transactions on Electron Devices, 2007, 54 (3), pp.497-503. ⟨10.1109/TED.2006.890230⟩. ⟨hal-02952297⟩
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