Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Device and Materials Reliability Année : 2016
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hal-02952182 , version 1 (29-09-2020)

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Citer

L. Procel, F. Crupi, Lionel Trojman, J. J. Franco, B. Kaczer. A Defect-Centric Analysis of the Temperature Dependence of the Channel Hot Carrier Degradation in nMOSFETs. IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, 2016, 16 (1), pp.98-100. ⟨10.1109/TDMR.2015.2511085⟩. ⟨hal-02952182⟩

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