Article Dans Une Revue
IEEE Transactions on Device and Materials Reliability
Année : 2016
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https://hal.science/hal-02952182
Soumis le : mardi 29 septembre 2020-11:36:41
Dernière modification le : jeudi 3 juillet 2025-18:00:02
Citer
L. Procel, F. Crupi, Lionel Trojman, J. J. Franco, B. Kaczer. A Defect-Centric Analysis of the Temperature Dependence of the Channel Hot Carrier Degradation in nMOSFETs. IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, 2016, 16 (1), pp.98-100. ⟨10.1109/TDMR.2015.2511085⟩. ⟨hal-02952182⟩
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