Article Dans Une Revue
IEEE Latin America Transactions
Année : 2016
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https://hal.science/hal-02952177
Soumis le : mardi 29 septembre 2020-11:35:25
Dernière modification le : mercredi 23 août 2023-13:36:17
Citer
Lionel Trojman. Study of Mobility for HfO2 dielectric FDSOI-UTTB pMOS under substrate biases. IEEE Latin America Transactions, 2016, 14 (10), pp.4235-4240. ⟨10.1109/TLA.2016.7786299⟩. ⟨hal-02952177⟩
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