Article Dans Une Revue IEEE Latin America Transactions Année : 2016

Study of Mobility for HfO2 dielectric FDSOI-UTTB pMOS under substrate biases

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Dates et versions

hal-02952177 , version 1 (29-09-2020)

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Citer

Lionel Trojman. Study of Mobility for HfO2 dielectric FDSOI-UTTB pMOS under substrate biases. IEEE Latin America Transactions, 2016, 14 (10), pp.4235-4240. ⟨10.1109/TLA.2016.7786299⟩. ⟨hal-02952177⟩

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