Communication Dans Un Congrès
Année : 2016
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https://hal.science/hal-02952151
Soumis le : mardi 29 septembre 2020-11:27:18
Dernière modification le : jeudi 18 décembre 2025-03:03:13
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-02952151 , version 1
- DOI : 10.1109/ANDESCON.2016.7836238
Citer
Lionel Trojman, Juan Acosta, Mario Ortega, Luis-Miguel Procel. Statistical study of SiON short MOSFET under Channel Hot Carrier stress. 2016 IEEE ANDESCON, Oct 2016, Arequipa, Peru. pp.1-5, ⟨10.1109/ANDESCON.2016.7836238⟩. ⟨hal-02952151⟩
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