Communication Dans Un Congrès
Année : 2018
Lionel Trojman : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-02951710
Soumis le : lundi 28 septembre 2020-20:12:48
Dernière modification le : mercredi 23 août 2023-13:36:17
Citer
Silvana Guitarra, Lionel Trojman, Laurent Raymond. A phenomenological model of the resistive switching for Hf-based ReRAM devices. 2018 IEEE Third Ecuador Technical Chapters Meeting (ETCM), Oct 2018, Cuenca, Ecuador. pp.1-5, ⟨10.1109/ETCM.2018.8580284⟩. ⟨hal-02951710⟩
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