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Communication Dans Un Congrès Année : 2019

Resistive Switching Model of OxRAM Devices Based on Intrinsic Electrical Parameters

Silvana Guitarra
  • Fonction : Auteur
Laurent Raymond
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02951702 , version 1 (28-09-2020)

Identifiants

Citer

Silvana Guitarra, Lionel Trojman, Laurent Raymond. Resistive Switching Model of OxRAM Devices Based on Intrinsic Electrical Parameters. 2019 Latin American Electron Devices Conference (LAEDC), Feb 2019, Armenia, Colombia. pp.1-4, ⟨10.1109/LAED.2019.8714728⟩. ⟨hal-02951702⟩

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