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Communication Dans Un Congrès Année : 2013

Caractérisation de modules MOSFET-SiC en vue de leur utilisation future dans des convertisseurs ferroviaires

Joseph Fabre

Résumé

Le Carbure de Silicium (SiC) va permettre de repousser les limites des convertisseurs dans trois directions : haute tenue en tension, haute température de fonctionnement, et haute vitesse de commutation. Aujourd'hui, les premiers modules MOSFET SiC sont disponibles sur le marché et semblent prometteurs. Pour évaluer leurs intérêts un banc de tests a permis de caractériser en conduction et commutation ces composants. Puis, un banc d'essai utilisant la « méthode d'opposition » a permis de comparer les modules IGBT-Si et les MOSFET-SiC en fonctionnement onduleur grâce à des mesures électriques et thermiques.
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Citer

Joseph Fabre. Caractérisation de modules MOSFET-SiC en vue de leur utilisation future dans des convertisseurs ferroviaires. Congrès annuel de l’école doctorale GEET, Toulouse, Apr 2013, Toulouse, France. ⟨hal-02938790⟩
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