Caractérisation de modules MOSFET-SiC en vue de leur utilisation future dans des convertisseurs ferroviaires
Résumé
Le Carbure de Silicium (SiC) va permettre de repousser les limites des convertisseurs dans trois directions : haute tenue en tension, haute température de fonctionnement, et haute vitesse de commutation. Aujourd'hui, les premiers modules MOSFET SiC sont disponibles sur le marché et semblent prometteurs. Pour évaluer leurs intérêts un banc de tests a permis de caractériser en conduction et commutation ces composants. Puis, un banc d'essai utilisant la « méthode d'opposition » a permis de comparer les modules IGBT-Si et les MOSFET-SiC en fonctionnement onduleur grâce à des mesures électriques et thermiques.
Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)
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