‘Influence of neutrons irradiation on electrical traps existing in GaN-based transistors’ - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Nuclear Science Année : 2016

‘Influence of neutrons irradiation on electrical traps existing in GaN-based transistors’

F. Berthet
  • Fonction : Auteur
S. Petitdidier
  • Fonction : Auteur
Y. Guhel
  • Fonction : Auteur
Laboratoire Universitaire des Sciences Appliquées de Cherbourg
J.L. Trolet
  • Fonction : Auteur
P. Mary
  • Fonction : Auteur
Christophe Gaquière
B. Boudart
  • Fonction : Auteur

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics]

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https://hal.science/hal-02936082

Soumis le : vendredi 11 septembre 2020-00:54:10

Dernière modification le : mardi 23 janvier 2024-12:28:53

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Dates et versions

hal-02936082 , version 1 (11-09-2020)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02936082 , version 1

Citer

F. Berthet, S. Petitdidier, Y. Guhel, J.L. Trolet, P. Mary, et al.. ‘Influence of neutrons irradiation on electrical traps existing in GaN-based transistors’. IEEE Transactions on Nuclear Science, 2016. ⟨hal-02936082⟩

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