‘Impact of a plasma pre-treatment before SiNx passivation on AlGaN-GaN HFET electrical behaviours’ - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Solid-State Electronics Année : 2005

‘Impact of a plasma pre-treatment before SiNx passivation on AlGaN-GaN HFET electrical behaviours’

Y. Guhel
  • Fonction : Auteur
Laboratoire Universitaire des Sciences Appliquées de Cherbourg
B. Boudart
  • Fonction : Auteur
N. Vellas
  • Fonction : Auteur
Christophe Gaquière
E. Delos
  • Fonction : Auteur
D. Ducatteau
  • Fonction : Auteur
Z. Bougrioua
M. Germain
  • Fonction : Auteur

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics]

Yannick Guhel  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-02936059

Soumis le : jeudi 10 septembre 2020-23:57:42

Dernière modification le : mercredi 9 mars 2022-14:14:03

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Dates et versions

hal-02936059 , version 1 (10-09-2020)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02936059 , version 1

Citer

Y. Guhel, B. Boudart, N. Vellas, Christophe Gaquière, E. Delos, et al.. ‘Impact of a plasma pre-treatment before SiNx passivation on AlGaN-GaN HFET electrical behaviours’. Solid-State Electronics, 2005. ⟨hal-02936059⟩

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