‘Impact of a plasma pre-treatment before SiNx passivation on AlGaN-GaN HFET electrical behaviours’ - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Solid-State Electronics Année : 2005

‘Impact of a plasma pre-treatment before SiNx passivation on AlGaN-GaN HFET electrical behaviours’

B. Boudart
  • Fonction : Auteur
N. Vellas
  • Fonction : Auteur
Christophe Gaquière
E. Delos
  • Fonction : Auteur
D. Ducatteau
  • Fonction : Auteur
Z. Bougrioua
M. Germain
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02936059 , version 1 (10-09-2020)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02936059 , version 1

Citer

Y. Guhel, B. Boudart, N. Vellas, Christophe Gaquière, E. Delos, et al.. ‘Impact of a plasma pre-treatment before SiNx passivation on AlGaN-GaN HFET electrical behaviours’. Solid-State Electronics, 2005. ⟨hal-02936059⟩
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