‘First results of AlGaN/GaN HEMTs on sapphire substrate using an argon ion implant isolation technology’ - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Microwave and Optical Technology Letters Année : 2005

‘First results of AlGaN/GaN HEMTs on sapphire substrate using an argon ion implant isolation technology’

M. Werquin
  • Fonction : Auteur
N. Vellas
  • Fonction : Auteur
D. Ducatteau
  • Fonction : Auteur
B. Boudart
  • Fonction : Auteur
J. C. Pesant
  • Fonction : Auteur
Z. Bougrioua
M. Germain
  • Fonction : Auteur
Jean-Claude de Jaeger
Christophe Gaquière
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02936058 , version 1 (10-09-2020)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02936058 , version 1

Citer

M. Werquin, N. Vellas, Y. Guhel, D. Ducatteau, B. Boudart, et al.. ‘First results of AlGaN/GaN HEMTs on sapphire substrate using an argon ion implant isolation technology’. Microwave and Optical Technology Letters, 2005. ⟨hal-02936058⟩
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