‘First results of AlGaN/GaN HEMTs on sapphire substrate using an argon ion implant isolation technology’ - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Microwave and Optical Technology Letters Année : 2005

‘First results of AlGaN/GaN HEMTs on sapphire substrate using an argon ion implant isolation technology’

M. Werquin
  • Fonction : Auteur
N. Vellas
  • Fonction : Auteur
Y. Guhel
  • Fonction : Auteur
Laboratoire Universitaire des Sciences Appliquées de Cherbourg
D. Ducatteau
  • Fonction : Auteur
B. Boudart
  • Fonction : Auteur
J. C. Pesant
  • Fonction : Auteur
Z. Bougrioua
M. Germain
  • Fonction : Auteur
Jean-Claude de Jaeger
Christophe Gaquière

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics]

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https://hal.science/hal-02936058

Soumis le : jeudi 10 septembre 2020-23:55:43

Dernière modification le : jeudi 10 mars 2022-13:38:07

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Dates et versions

hal-02936058 , version 1 (10-09-2020)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02936058 , version 1

Citer

M. Werquin, N. Vellas, Y. Guhel, D. Ducatteau, B. Boudart, et al.. ‘First results of AlGaN/GaN HEMTs on sapphire substrate using an argon ion implant isolation technology’. Microwave and Optical Technology Letters, 2005. ⟨hal-02936058⟩

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