Low frequency noise assessment in n- and p-channel sub-10 nm triple-gate FinFETs - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2016

Low frequency noise assessment in n- and p-channel sub-10 nm triple-gate FinFETs

B Cretu
Régis Carin
Anabela Veloso
  • Fonction : Auteur
N. Collaert
  • Fonction : Auteur
A Thean
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02877229 , version 1 (22-06-2020)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02877229 , version 1

Citer

Dimitri Boudier, B Cretu, Eddy Simoen, Régis Carin, Anabela Veloso, et al.. Low frequency noise assessment in n- and p-channel sub-10 nm triple-gate FinFETs. Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS), Jan 2016, Vienna, Austria. ⟨hal-02877229⟩
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