Article Dans Une Revue
Microelectronics Reliability
Année : 2018
Loic Theolier : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-02499971
Soumis le : jeudi 5 mars 2020-16:21:58
Dernière modification le : vendredi 9 février 2024-10:37:00
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-02499971 , version 1
- DOI : 10.1016/j.microrel.2018.07.076
Citer
Omar Chihani, Loïc Théolier, Alain Bensoussan, Jean-Yves Delétage, André Durier, et al.. Effect of HTRB lifetest on AlGaN/GaN HEMTs under different voltages and temperatures stresses. Microelectronics Reliability, 2018, 88-90, pp.402-405. ⟨10.1016/j.microrel.2018.07.076⟩. ⟨hal-02499971⟩
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