Topology and design investigation on thin film silicon BIMOS device for ESD protection in FD-SOI technology - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Microelectronics Reliability Année : 2019
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hal-02457726 , version 1 (28-01-2020)

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Paternité - Pas d'utilisation commerciale

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Citer

Philippe Galy, Louise de Conti, G. Delahaye, Lorena Anghel. Topology and design investigation on thin film silicon BIMOS device for ESD protection in FD-SOI technology. Microelectronics Reliability, 2019, ⟨10.1016/j.microrel.2019.06.069⟩. ⟨hal-02457726⟩

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