Article Dans Une Revue
Solid State Communications
Année : 1997
Arnaud Bournel : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-02451938
Soumis le : jeudi 23 janvier 2020-12:59:06
Dernière modification le : mercredi 15 novembre 2023-10:46:45
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-02451938 , version 1
- DOI : 10.1016/S0038-1098(97)00278-0
Citer
A. Bournel, P. Dollfus, S Galdin, F.-X Musalem, P. Hesto. Modelling of gate-induced spin precession in a striped channel high electron mobility transistor. Solid State Communications, 1997, 104 (2), pp.85-89. ⟨10.1016/S0038-1098(97)00278-0⟩. ⟨hal-02451938⟩
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