1.9 μm laser based on highly doped Tm3+ :YLF crystalline liquid-phase-epitaxy layers - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2016

1.9 μm laser based on highly doped Tm3+ :YLF crystalline liquid-phase-epitaxy layers

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02418812 , version 1 (19-12-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02418812 , version 1

Citer

M Salhi, R. Soulard, G. Brasse, J.L. Doualan, A. Braud, et al.. 1.9 μm laser based on highly doped Tm3+ :YLF crystalline liquid-phase-epitaxy layers. Conférence IS-OM7, Mar 2019, Lyon, France. ⟨hal-02418812⟩
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