Charge Pumping in Ultrathin SOI Tunnel FETs: Impact of Back-Gate Voltage - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue ECS Transactions Année : 2019

Charge Pumping in Ultrathin SOI Tunnel FETs: Impact of Back-Gate Voltage

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02415983 , version 1 (17-12-2019)

Identifiants

Citer

Carlos Diaz Llorente, Christoforos Theodorou, Jean-Pierre Colinge, Sorin Cristoloveanu, Sébastien Martinie, et al.. Charge Pumping in Ultrathin SOI Tunnel FETs: Impact of Back-Gate Voltage. ECS Transactions, 2019, 89 (3), pp.111-120. ⟨10.1149/08903.0111ecst⟩. ⟨hal-02415983⟩
45 Consultations
0 Téléchargements

Altmetric

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More