Un transistor à effet de champ à base de nanorubans de graphène avec les bords remplis. - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Poster De Conférence Année : 2019

Un transistor à effet de champ à base de nanorubans de graphène avec les bords remplis.

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02411335 , version 1 (14-12-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02411335 , version 1

Citer

Abraao Cefas Torres Dias, Aurélien Masseboeuf, Benjamin Lassagne, Pascal Puech, Marc Monthioux. Un transistor à effet de champ à base de nanorubans de graphène avec les bords remplis.. Coloque Francophone du Carbone "SFEC-2019", Apr 2019, Samatan, France. ⟨hal-02411335⟩
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