Advances in Aging Compact Model for Hot Carrier Degradation in SiGe HBTs under Dynamic Operating conditions for reliability-aware circuit design - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2019

Advances in Aging Compact Model for Hot Carrier Degradation in SiGe HBTs under Dynamic Operating conditions for reliability-aware circuit design

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique
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Soumis le : vendredi 29 novembre 2019-11:39:45

Dernière modification le : mercredi 15 novembre 2023-13:14:27

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Dates et versions

hal-02386290 , version 1 (29-11-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02386290 , version 1

Citer

C Mukherjee, F. Marc, M Couret, G G Fischer, M Jaoul, et al.. Advances in Aging Compact Model for Hot Carrier Degradation in SiGe HBTs under Dynamic Operating conditions for reliability-aware circuit design. European Microwave Week Workshop Recent advances in SiGe BiCMOS: technologies, modelling & circuits for 5G, radar & imaging, Sep 2019, Paris, France. ⟨hal-02386290⟩

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