Effects of interface-layers composition and strain distribution on the optical transitions of InAs quantum dots on InP - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics (1998-2015) Année : 1998

Effects of interface-layers composition and strain distribution on the optical transitions of InAs quantum dots on InP

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci] Optique [physics.optics] Physique Quantique [quant-ph] Micro et nanotechnologies/Microélectronique Optique / photonique

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https://hal.science/hal-02370177

Soumis le : mardi 19 novembre 2019-12:38:54

Dernière modification le : lundi 23 janvier 2023-09:34:14

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hal-02370177 , version 1 (19-11-2019)

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Citer

H. Folliot, S. Loualiche, B. Lambert, V. Drouot, A. Le Corre. Effects of interface-layers composition and strain distribution on the optical transitions of InAs quantum dots on InP. Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics (1998-2015), 1998, 58 (16), pp.10700-10704. ⟨10.1103/PhysRevB.58.10700⟩. ⟨hal-02370177⟩

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