Advanced and reliable GaAs/AlGaAs ICP-DRIE etching for optoelectronic, microelectronic and microsystem applications - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Microelectronic Engineering Année : 2018
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Dates et versions

hal-02364767 , version 1 (15-11-2019)

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Citer

P.B. Vigneron, F. Joint, N. Isac, R. Colombelli, E. Herth. Advanced and reliable GaAs/AlGaAs ICP-DRIE etching for optoelectronic, microelectronic and microsystem applications. Microelectronic Engineering, 2018, 202, pp.42-50. ⟨10.1016/j.mee.2018.09.001⟩. ⟨hal-02364767⟩
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