Article Dans Une Revue
Microelectronics Reliability
Année : 2019
Gerard Ghibaudo : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-02361447
Soumis le : mercredi 13 novembre 2019-13:38:33
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:20:22
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-02361447 , version 1
- DOI : 10.1016/j.microrel.2019.113422
Citer
M. Arabi, X. Federspiel, F. Cacho, M. Rafik, A.-P. Nguyen, et al.. Temperature dependence of TDDB at high frequency in 28FDSOI. Microelectronics Reliability, 2019, 100-101, pp.113422. ⟨10.1016/j.microrel.2019.113422⟩. ⟨hal-02361447⟩
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