Temperature dependence of TDDB at high frequency in 28FDSOI - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Microelectronics Reliability Année : 2019
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02361447 , version 1 (13-11-2019)

Identifiants

Citer

M. Arabi, X. Federspiel, F. Cacho, M. Rafik, A.-P. Nguyen, et al.. Temperature dependence of TDDB at high frequency in 28FDSOI. Microelectronics Reliability, 2019, 100-101, pp.113422. ⟨10.1016/j.microrel.2019.113422⟩. ⟨hal-02361447⟩
25 Consultations
0 Téléchargements

Altmetric

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More