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Communication Dans Un Congrès Année : 2019

Epitaxial Integration of GaSb-based mid-IR devices on Silicon

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02342611 , version 1 (01-11-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02342611 , version 1

Citer

E. Tournié, Jean-Baptiste Rodriguez, L Cerutti, Roland Teissier, Alexei Baranov. Epitaxial Integration of GaSb-based mid-IR devices on Silicon. Light Conference 2019, Jul 2019, Changchun, China. ⟨hal-02342611⟩
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