Roughness generation during Si etching in Cl2 pulsed plasmas - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2016

Roughness generation during Si etching in Cl2 pulsed plasmas

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02339971 , version 1 (30-10-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02339971 , version 1

Citer

Odile Mourey, Camille Petit-Etienne, Gilles Cunge, Maxime Darnon, Emilie Despiau-Pujo, et al.. Roughness generation during Si etching in Cl2 pulsed plasmas. Plasma Etch and Strip in Microtechnologies conference, May 2016, Grenoble, France. ⟨hal-02339971⟩
22 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More