Roughness generation during Si etching in Cl2 pulsed plasmas - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2016

Roughness generation during Si etching in Cl2 pulsed plasmas

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Maxime Darnon  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-02339971

Soumis le : mercredi 30 octobre 2019-15:49:43

Dernière modification le : mardi 28 mai 2024-11:48:02

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Dates et versions

hal-02339971 , version 1 (30-10-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02339971 , version 1

Citer

Odile Mourey, Camille Petit-Etienne, Gilles Cunge, Maxime Darnon, Emilie Despiau-Pujo, et al.. Roughness generation during Si etching in Cl2 pulsed plasmas. Plasma Etch and Strip in Microtechnologies conference, May 2016, Grenoble, France. ⟨hal-02339971⟩

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