Photo-Atomic Layer Etching of GaAs/AlGaAs Nanoheterostructures - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2019
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02327642 , version 1 (22-10-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02327642 , version 1

Citer

J.J. Dubowski, M.R. Aziziyan, H. Sharma, S. Aithal. Photo-Atomic Layer Etching of GaAs/AlGaAs Nanoheterostructures. Canadian Semiconductor Science and Technology Conference CSSTC, Jul 2019, Saskatoon, Canada. pp.17968-17978. ⟨hal-02327642⟩
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