Communication Dans Un Congrès
Année : 2019
Guillaume Saint-Girons : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-02325535
Soumis le : mardi 22 octobre 2019-11:47:17
Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:13
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-02325535 , version 1
Citer
Rahma Moalla, Dong Han, Guillaume Saint-Girons, Jean -Louis Leclercq, Romain Bachelet. Localized oxide MBE growth on Si by selective etching lift-off for on-chip thermoelectricity. Journées Nationales des Technologies Emergentes, Nov 2019, Grenoble, France. ⟨hal-02325535⟩
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