Ultrathin AlN-Based HEMTs Grown on Silicon Substrate by NH 3 -MBE - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Physica Status Solidi A (applications and materials science) Année : 2018

Ultrathin AlN-Based HEMTs Grown on Silicon Substrate by NH 3 -MBE

Domaines

Matière Condensée [cond-mat] Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

Fabrice Semond  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-02322484

Soumis le : lundi 21 octobre 2019-15:58:15

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Dates et versions

hal-02322484 , version 1 (21-10-2019)

Identifiants

Citer

Stéphanie Rennesson, Mathieu Leroux, Mohamed Al Khalfioui, Maud Nemoz, Sebastien Chenot, et al.. Ultrathin AlN-Based HEMTs Grown on Silicon Substrate by NH 3 -MBE. Physica Status Solidi A (applications and materials science), 2018, 215 (9), pp.1700640. ⟨10.1002/pssa.201700640⟩. ⟨hal-02322484⟩

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