Modelling and analysis of gate leakage current and its wafer level variability in advanced FD-SOI MOSFETs - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Solid-State Electronics Année : 2020
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Dates et versions

hal-02321948 , version 1 (21-10-2019)

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Citer

Krishna Pradeep, Thierry Poiroux, Patrick Scheer, Andre Juge, Gérard Ghibaudo. Modelling and analysis of gate leakage current and its wafer level variability in advanced FD-SOI MOSFETs. Solid-State Electronics, 2020, 163, pp.107643. ⟨10.1016/j.sse.2019.107643⟩. ⟨hal-02321948⟩
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