Article Dans Une Revue
Solid-State Electronics
Année : 2020
Gerard Ghibaudo : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-02321948
Soumis le : lundi 21 octobre 2019-15:24:16
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:20:36
Citer
Krishna Pradeep, Thierry Poiroux, Patrick Scheer, Andre Juge, Gérard Ghibaudo. Modelling and analysis of gate leakage current and its wafer level variability in advanced FD-SOI MOSFETs. Solid-State Electronics, 2020, 163, pp.107643. ⟨10.1016/j.sse.2019.107643⟩. ⟨hal-02321948⟩
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