Communication Dans Un Congrès
Année : 2009
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https://hal.science/hal-02313720
Soumis le : vendredi 11 octobre 2019-14:51:34
Dernière modification le : vendredi 18 octobre 2024-13:44:03
Citer
Marianne J.H. Balat-Pichelin, Ludovic Charpentier, F. Audubert. High Temperature Oxidation of SiC under Helium with Low Oxygen Partial Pressure. 216th ECS Meeting, Sep 2009, Vienna, France. pp.123-131, ⟨10.1149/1.3315802⟩. ⟨hal-02313720⟩
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