Communication Dans Un Congrès Année : 2009

High Temperature Oxidation of SiC under Helium with Low Oxygen Partial Pressure

Domaines

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02313720 , version 1 (11-10-2019)

Identifiants

Citer

Marianne J.H. Balat-Pichelin, Ludovic Charpentier, F. Audubert. High Temperature Oxidation of SiC under Helium with Low Oxygen Partial Pressure. 216th ECS Meeting, Sep 2009, Vienna, France. pp.123-131, ⟨10.1149/1.3315802⟩. ⟨hal-02313720⟩
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