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Communication Dans Un Congrès Année : 2019

Plasma processes applied to SiO2 cryo-atomic layer etching

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02311288 , version 1 (10-10-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02311288 , version 1

Citer

Gaëlle Antoun, Remi Dussart, Philippe Lefaucheux, Thomas Tillocher, Tahara Shigeru, et al.. Plasma processes applied to SiO2 cryo-atomic layer etching. XXXIV International Conference on Phenomena in Ionized Gases - 10th International Conference on Reactive Plasmas, Jul 2019, Sapporo, Japan. ⟨hal-02311288⟩
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