Communication Dans Un Congrès
Année : 2019
Thomas Tillocher : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-02311288
Soumis le : jeudi 10 octobre 2019-17:41:47
Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:12
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-02311288 , version 1
Citer
Gaëlle Antoun, Remi Dussart, Philippe Lefaucheux, Thomas Tillocher, Tahara Shigeru, et al.. Plasma processes applied to SiO2 cryo-atomic layer etching. XXXIV International Conference on Phenomena in Ionized Gases - 10th International Conference on Reactive Plasmas, Jul 2019, Sapporo, Japan. ⟨hal-02311288⟩
Collections
45
Consultations
0
Téléchargements