Low Source/Drain Contact Resistance for AlGaN/GaN HEMTs with High Al Concentration and Si-HP [111] Substrate - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2017

Low Source/Drain Contact Resistance for AlGaN/GaN HEMTs with High Al Concentration and Si-HP [111] Substrate

S. Duffy
  • Fonction : Auteur
B. Benbakhti
M. Mattalah
  • Fonction : Auteur
W. Zhang
M. Bouchilaoun
  • Fonction : Auteur
Laboratoire Nanotechnologies Nanosystèmes
M. Boucherta
  • Fonction : Auteur
K. Kalna
  • Fonction : Auteur
Laboratoire Nanotechnologies Nanosystèmes
Nour Eddine Bourzgui
H. Maher
Laboratoire Nanotechnologies Nanosystèmes
A. Soltani
Laboratoire Nanotechnologies Nanosystèmes

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics]
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Soumis le : lundi 11 juillet 2022-13:47:29

Dernière modification le : mardi 30 juillet 2024-18:41:20

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hal-02310065 , version 1 (11-07-2022)

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Paternité

Identifiants

  • HAL Id : hal-02310065 , version 1

Citer

S. Duffy, B. Benbakhti, M. Mattalah, W. Zhang, M. Bouchilaoun, et al.. Low Source/Drain Contact Resistance for AlGaN/GaN HEMTs with High Al Concentration and Si-HP [111] Substrate. UK Semiconductors 2017, Jul 2017, Sheffield, United Kingdom. pp.S3040-S3043. ⟨hal-02310065⟩

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