Toward an active gate driver for current speed control of GaN Transistor during Turn-on - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2018

Toward an active gate driver for current speed control of GaN Transistor during Turn-on

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics]

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https://hal.science/hal-02310057

Soumis le : mercredi 9 octobre 2019-18:26:19

Dernière modification le : mercredi 18 décembre 2024-09:47:53

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02310057 , version 1 (09-10-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02310057 , version 1

Citer

M. L. Beye, L.V. Phung, H. Maher, Bruno Allard. Toward an active gate driver for current speed control of GaN Transistor during Turn-on. GaN-Marathon, Apr 2018, Padova, Italy. ⟨hal-02310057⟩

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