Simulation of a Normally off GaN Vertical Fin Power Fet Transistor to Study Its Breakdown Mechanism - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2018

Simulation of a Normally off GaN Vertical Fin Power Fet Transistor to Study Its Breakdown Mechanism

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Sciences de l'ingénieur [physics]

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https://hal.science/hal-02310041

Soumis le : mercredi 9 octobre 2019-18:10:25

Dernière modification le : mardi 28 mai 2024-11:48:02

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Dates et versions

hal-02310041 , version 1 (09-10-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02310041 , version 1

Citer

Marie-Clara Pépin, Hassan Maher, Christophe Rodriguez, Ali Soltani. Simulation of a Normally off GaN Vertical Fin Power Fet Transistor to Study Its Breakdown Mechanism. The compound semiconductor week (CSW), May 2018, Boston, United States. ⟨hal-02310041⟩

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