Article Dans Une Revue
IEEE Transactions on Electron Devices
Année : 2015
Elisabeth Galopin : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-02304371
Soumis le : jeudi 3 octobre 2019-11:09:20
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Citer
Wei Wei, Xin Zhou, Geetanjali Deokar, Haechon Kim, Mohamed Moez Belhaj, et al.. Graphene FETs With Aluminum Bottom-Gate Electrodes and Its Natural Oxide as Dielectrics. IEEE Transactions on Electron Devices, 2015, 62 (9), pp.2769-2773. ⟨10.1109/TED.2015.2459657⟩. ⟨hal-02304371⟩
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