Article Dans Une Revue ACS Applied Electronic Materials Année : 2019

Huge Reduction of the Wake-Up Effect in Ferroelectric HZO Thin Films

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hal-02303151 , version 1 (22-06-2021)

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Jordan Bouaziz, Pedro Rojo Romeo, Nicolas Baboux, Bertrand Vilquin. Huge Reduction of the Wake-Up Effect in Ferroelectric HZO Thin Films. ACS Applied Electronic Materials, 2019, 1 (9), pp.1740-1745. ⟨10.1021/acsaelm.9b00367⟩. ⟨hal-02303151⟩
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