Evidence of Mg segregation to threading dislocation in normally-off GaN-HEMT - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Nanotechnology Année : 2019

Evidence of Mg segregation to threading dislocation in normally-off GaN-HEMT

Sébastien Duguay
Celia Castro
Olivier Latry
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02299201 , version 1 (27-09-2019)

Identifiants

Citer

Sébastien Duguay, Andres Echeverri, Celia Castro, Olivier Latry. Evidence of Mg segregation to threading dislocation in normally-off GaN-HEMT. IEEE Transactions on Nanotechnology, 2019, 18, pp.995-998. ⟨10.1109/TNANO.2019.2942400⟩. ⟨hal-02299201⟩
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