Resistive nickel temperature sensor integrated into short-gate length AlGaN/GaN HEMT dedicated to RF applications - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue IEEE Electron Device Letters Année : 2018

Resistive nickel temperature sensor integrated into short-gate length AlGaN/GaN HEMT dedicated to RF applications

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Sciences de l'ingénieur [physics]

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https://hal.science/hal-02273384

Soumis le : mercredi 28 août 2019-20:58:35

Dernière modification le : mardi 28 mai 2024-11:48:02

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Dates et versions

hal-02273384 , version 1 (28-08-2019)

Identifiants

Citer

Flavien Cozette, Marie Lesecq, Adrien Cutivet, N. Defrance, Michel Rousseau, et al.. Resistive nickel temperature sensor integrated into short-gate length AlGaN/GaN HEMT dedicated to RF applications. IEEE Electron Device Letters, 2018, 39 (10), pp.1-1. ⟨10.1109/LED.2018.2864643⟩. ⟨hal-02273384⟩

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