Article Dans Une Revue
Semiconductor Science and Technology
Année : 2019
Elisabeth BLANQUET : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-02169826
Soumis le : lundi 1 juillet 2019-15:15:57
Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:08:15
Citer
Fabien Rozé, Patrice Gergaud, Nicolas Jaouen, Olivier Gourhant, Elisabeth Blanquet, et al.. Influence of oxide density on O 2 diffusivity in thermally grown SiO 2 on Si and SiGe and on oxidation kinetics. Semiconductor Science and Technology, 2019, 34 (6), pp.065023. ⟨10.1088/1361-6641/ab1228⟩. ⟨hal-02169826⟩
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