In-rich Al x In 1− x N grown by RF-sputtering on sapphire: from closely-packed columnar to high-surface quality compact layers - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Physics D: Applied Physics Année : 2017

In-rich Al x In 1− x N grown by RF-sputtering on sapphire: from closely-packed columnar to high-surface quality compact layers

A Núñez-Cascajero
  • Fonction : Auteur
L Monteagudo-Lerma
  • Fonction : Auteur
E. Monroy
S Taylor-Shaw
  • Fonction : Auteur
R Martin
  • Fonction : Auteur
F Naranjo
  • Fonction : Auteur

Dates et versions

hal-02166063 , version 1 (26-06-2019)

Identifiants

Citer

A Núñez-Cascajero, S. Valdueza-Felip, L Monteagudo-Lerma, E. Monroy, S Taylor-Shaw, et al.. In-rich Al x In 1− x N grown by RF-sputtering on sapphire: from closely-packed columnar to high-surface quality compact layers. Journal of Physics D: Applied Physics, 2017, 50 (6), pp.065101. ⟨10.1088/1361-6463/aa53d5⟩. ⟨hal-02166063⟩
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