Article Dans Une Revue
Applied Physics Letters
Année : 2016
Jean-Michel GERARD : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-02165980
Soumis le : mercredi 26 juin 2019-13:25:56
Dernière modification le : mercredi 15 mai 2024-13:08:09
Citer
S. Joglekar, M. Azize, M. Beeler, E. Monroy, T. Palacios. Impact of recess etching and surface treatments on ohmic contacts regrown by molecular-beam epitaxy for AlGaN/GaN high electron mobility transistors. Applied Physics Letters, 2016, 109 (4), pp.041602. ⟨10.1063/1.4959831⟩. ⟨hal-02165980⟩
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